三星3nm与新思科技合作完成 GAA架构性能优于台积电3nm

新浪科技讯 据外媒报道，6月29日晚，三星宣布，3nm工艺技术已经正式流片。据报道，三星3nm工艺采用GAA架构性能优于台积电3nm FinFET架构。

三星在三nm与新思科技合作科技合作完成，目的是加速GAA架构的生产过程提供了高度优化的参考方法。因为三星的3nm不同于台积电或英特尔的工艺FinFET使用的是架构GAA结构。因此，三星采用了新思科技Fusion Design Platform。

在技术性能方面，GAA晶体管的结构可以提供比例FinFET静电特性较好，能满足某些栅极宽度的要求。这主要表现在相同尺寸的结构下，GAA加强沟道控制能力，为进一步微缩尺寸提供可能。

这个流片是由的Synopsys与三星代工厂合作完成。此前，三星在2020年完成了3nm技术开发，但成功开发并不意味着，但这并不意味着三星产品最终进入大规模生产的时间可以确定。nm芯片大规模量产的时间节点正式临近。(文猛)