大功率缩小器使用先容：AB类大功率缩小器

AB类放大器是一种常用的放大器设计，用于高功率射频应用以及要求高功率增益和最小信号失真的其他应用。重要特点是AB类放大器颠末偏置，是以输出电流流过的时间少于输入波形的一个完备周期，但凌驾波形的一半。AB放大器设计许可互补输出级中的多个开关晶体管在负载组合之前传导输入波形的负半周期。与B类放大器设计一样，这一设计可以将交织失真最小化，由于在零交织周期内，每个输出晶体管在每个周期都导通较短的时间。是以，AB类放大器的导通角大于180度且小于360度。

这种设计的利益是AB类放大器的服从比A类放大器大得多，固然服从较低，但是也可以提供比B类放大器更好的信号质量。借助精良的偏置操纵，在AB类设置装备摆设中可以将与部门传导放大器相干的失真降至最低。

在射频放大的情形下，可以设计服从极高的AB类放大器，它们具有极宽的带宽、高增益和高饱和输出功率程度。AB类高功率放大器（HPA）可以进步至18 GHz，其饱和功率输出电平可以到达10瓦至200瓦。依据技能的差别，可用的AB类高功率放大器（HPA）可以到达40％的功率附加服从（PAE）。这些范例的放大器的功率电平增益的范畴为37分贝至53分贝。别的，这些放大器通常还具有直流偏置操纵功效，偶然由TTL规律操纵。新增的功效包罗电流和温度感到功效，可以实现更好的偏置赔偿和监测，而散热器附件可以添加冷却电扇，可以实现更好的热治理。

有几种常见的半导体技能可用于制造AB类高功率放大器（HPA）：垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）、横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）和氮化镓（GaN）晶体管。素质上，用于AB类高功率放大器（HPA）的半导体技能的范例取决于放大器的频率范畴。垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）高功率放大器（HPA）通常在几百兆赫兹以下有用运行，而横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）高功率放大器（HPA）在几千赫兹时有用运行，但通常在1千赫兹以下服从更高。另一方面，氮化镓（GaN）高功率放大器（HPA）可以设计用于数十千赫兹的应用，纵然在更高的频率下也具有极高的服从和增益。

依据放大器的功率和频率，高功率放大器（HPA）还具有种种同轴毗连器样式。对付运行到几兆赫兹的高功率放大器（HPA）来说，SMA型和N型毗连器都是常见的，而N型毗连器可以或许处置惩罚比SMA型毗连器更高的功率。但是，对付凌驾10 GHz且功率低于200瓦的更高频率的应用来说，SMA型毗连器是最常用的同轴毗连器。