2021年3月热门资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿

1、天科合达公司出色表态SEMICON China 2021

一年一度的半导体行业嘉会——SEMICON China 2021国际半导体展于3月17日在上海新国际博览中间顺遂拉开帷幕。作为国内专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产和贩卖的国度级高新技能企业，北京天科合达半导体株式会社（以下简称“天科合达公司”）出色表态本次半导体行业嘉会。 本次参展重要展出了公司自主研发，生产制造的“4-6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶片、晶体等产物”，这些产物遍及用于制造高温、高频、高压、高功率器件，在航空航天、光伏、电动汽车和5G通讯等范畴具有紧张应用，是当前环球半导体质料财产的热门。展会时期，天科合达公司展位吸引了浩繁企业和研究机构的参会代表前来观光、咨询和好谈，并对公司所生产的4-6英寸碳化硅晶片及基于天科合达衬底生产的SiC芯片产物在国际上的先辈程度表现了充实的承认和肯定。

2、瀚每天成：团结攻关，碳化硅超结要害制造工艺取得汗青性突破

3月初，瀚每天成电子科技(厦门)有限公司团结电子科技大学、中国科学院相干院所、重庆伟特森电子科技有限公司，突破了碳化硅超结深槽外延要害制造工艺，助力国产高性能超结碳化硅器件研发。通过创新引领，产学研团结攻关，突破了碳化硅质料深槽刻蚀添补的天下性困难，乐成研发出具有优胜填隙本领的碳化硅超结制造工艺，添补形貌如图1所示。碳化硅超结外延添补工艺的乐成开辟，为高性能超结碳化硅器件研发奠基了坚固底子，必将引领国产碳化硅超结器件的崛起!

图1 碳化硅深槽刻蚀工艺添补形貌

3、斯达半导募资35亿元，投建SiC芯片/功率半导体模块等项目
3月2日晚，斯达半导（603290.SH）公布定增预案，通告表现，公司拟非公然刊行股票募资不凌驾35亿元，此中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC研发及财产化项目，估计达产后年产36万片功率半导体芯片；7亿元用于功率半导体模块生产线主动化改革项目，达产后，估计新增年产400万片的功率半导体模块。

4、JEDEC公布首个SiC电力电子器件尺度

JEDEC固态技能协会公布公布JEP183:《SiC MOSFET的阈值电压(VT)丈量指南》。该出书物针对SiC MOSFET的奇特性能，办理了正确丈量SiC MOSFET的阈值电压(VT)这一要害课题。JEP183中提供的阈值电压测试要领可作为丈量SiC功率器件VT的通用行业指南，重点是N沟道垂直布局MOSFET技能，为SiC MOSFET市场提供了通用基准。

5、英国推出8寸硅基GaN HEMT代工办事，年产能70万片

英国研究与创新（UKRI）局正在支持化合物半导体中间有限公司（CSC）和纽波特晶圆厂（NWF）在200mm晶圆平台上提供代工级650V硅基GaN HEMT工艺。HEMT制造工艺技能将创建在纽波特晶圆厂30年硅功率器件制造传统的底子上，该传统在汽车(IATF 16949)质量认证的量产情况下开辟。该外延办理方案将使用CSC与其母公司IQE互助开辟的知识产权，在其位于英国卡迪夫的工场中的Aixtron G5 200mm大批量制造平台上举行。CSC的内部质量治理体系近来得到了ISO9001的全面认证，涵盖了从开辟到量产的全历程。该项目得到了UKRI "汽车转型基金：推动英国汽车行业实现零排放"的支持。

6、“十四五”打算中的SiC和GaN项目

科技部公布“十四五”国度重点研发打算“新型表现与计谋性电子质料”重点专项2021年度项目报告指南（收罗定见稿），此中涉及到碳化硅和氮化镓的有多个项目：

碳化硅相干

2.1面向新能源汽车应用的SiC功率电子质料与器件（共性要害技能）

2.7大尺寸SiC单晶衬底制备财产化技能(共性要害技能）

4.3中高压SiC超等结电荷均衡理论研究及器件研制

氮化镓相干

2.2 面向大数据中间应用的GaN基高效功率电子质料与器件（共性要害技能）

2.3 5G 移动通讯基站用GaN 基Sub-6 GHz 及毫米波质料与器件研发（共性要害技能）

2.4 InGaN 基长波段LED 要害质料与器件技能（共性要害技能）

4.4 GaN 基宽禁带半导体与Si 半导体的单片异质集成要领与技能

4.5 GaN 单晶复活长技能研究

7、2021年SiC/GaN功率器件营收猜测：第三代半导体高速发展

依据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体市场观察，22021年第三代半导体发展动能有望高速回升。预估其本年市场范围将达6,100万美元，年增率高达90.6%。疫情有所趋缓动员产业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等，以及通讯基站需求回稳，随着特斯拉（Tesla）Model 3电动车逆变器渐渐改采SiC器件制程后，第三代半导体于车用市场渐渐备受器重，中国当局为提拔半导体自主化，本年提出十四五打算投入巨额人民币扩大产能，上述都将成为推升2021年GaN及SiC品级三代半导体高速发展的动能。

8、站上风口！十四五计划点名第三代半导体

克日，天下两会落下帷幕，第三代半导体成为了两会的要害词之一。3月12日，新华社公布《中华人民共和国百姓经济和社会进展第十四个五年计划和2035年前景目的纲领》。纲领中集成电路范畴称要取得碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的进展。第三代半导体是国度2030计划和“十四五”国度研发打算确定的紧张进展偏向，被视作我国半导体财产弯道超车的时机。要接纳坚定步伐，推动我国第三代半导体财产落地。

9、环球首发！中国中车正式交付首列全碳化硅永磁直驱列车

3月24日，苏州市轨道交通3号线工程车辆全碳化硅永磁直驱列车环球首发运动在苏州市轨道交通3号线浒墅关车辆段进行。此辆列车采纳第三代全碳化硅半导体技能，走行风冷永磁直驱电机，完全自主知识产权永磁直驱转向架，标记着中车首列全碳化硅永磁直驱列车正式交付。

10、苏州产业园区新添国度第三代半导体技能创新中间

克日，科技部批复支持苏州产业园区设置装备摆设国度第三代半导体技能创新中间（以下简称“创新中间”）。创新中间由深圳市人民当局、江苏省人民当局团结支持设置装备摆设，设置深圳平台和江苏平台，江苏平台以位于苏州产业园区的江苏第三代半导体研究院为设置装备摆设实行单元。据悉，创新中间将以要害技能研发为焦点任务，促进各种相干创新主体和创新要素协同，统筹天下上风气力为第三代半导体财产提供泉源技能提供，加速推动科技结果转移转化，辐射动员形成一批具有焦点创新本领的一流企业，推动我国第三代半导体财产创新本领团体跃升。

11、英国投入480万英镑开辟下一代碳化硅功率器件产线

日前，Swansea大学得到了一笔480万英镑，有英国当局资助的资金，用于设置装备摆设一条宽带隙电力元件产业试产线，其将对6-8英寸的碳化硅晶圆举行加工，用于制造汽车、航空航天、医疗、能源电子电力需求行业。

产业试产线将在Newport Wafer Fab (NWF)举行

据悉，该项目是英国推动电力革命（DER）项目标一部门，DER项目总投资2850万英镑，目标是在产业、交通和能源部分创建具有竞争力的电气化提供链。此中的要害无疑是Swansea大学的碳化硅器件生产项目，该校项目卖力人表现，“这条新的试点生产线将制造新的SiC半导体芯片创新，用于下一代电力电子体系，这些体系将更高效、更轻，并在关心英国实现碳减排目的方面发挥要害作用。”

12、国际初次报道基于准垂直型氮化镓肖特基二极管的高功率微波限幅器

克日，来自荷兰代尔夫特理工大学博士研究生孙跃以第一作者的身份报道了在氮化镓高功率微波器件范畴取得的最新希望，该事情与中国科学院微电子研究所互助完成。重要采纳低伤害陡直台面刻蚀技能 (Steep-Mesa Etch Technology)，制备了准垂直型氮化镓肖特基二极管，其在关态下泄电流可低至10⁻⁹ A/cm⁻²，开启电压0.7 V，比导通电阻低至0.21 mΩ·cm²，反向耐压106 V。并以此为底子，在国际上初次实现了氮化镓肖特基二极管在高功率微波限幅器上的应用，乐成在L波段实现了高达40 dBm的一连波功率处置惩罚本领，并以低于27.2 dBm的走漏功率为射频前端吸收器链路提供爱护。

http://www.mdpi.com/2079-9292/10/4/433

13、英飞凌公布650VCoolSiC混淆模块系列产物

英飞凌科技公司推出650 V CoolSiC混淆IGBT产物组合，采纳650 V阻断电压的分立封装。CoolSiC混淆产物系列联合了650 V TRENCHSTOP 5 IGBT技能和共封装肖特基势垒CoolSiC二极管单极布局的长处。

CoolSiC混淆产物系列联合了650V TRENCHSTOP 5 IGBT技能的上风和共封装肖特基势垒CoolSiC二极管的单极布局。

14、博世半导体新行动：300mm晶圆厂，SiC，根本半导体

博世投资约10亿欧元的德累斯顿晶圆厂在本年1月开始了首批晶圆的制备，并打算于6月正式投入运营。3月份开始，博世将开始基于新工场的晶圆生产首批高度庞大的集成电路。依据博世碳化硅产物的技能门路图，裸芯片估计2021年的年末会上市。分立器件MOSFET这块，也许会在2022年头上市，基于对付客户的需求的立室。3月9日，博世公布，从属于博世团体的罗伯特·博世创业投资公司（RBVC）已完成对根本半导体的投资。根本半导体总部位于深圳，是国内碳化硅功率器件提供商之一。