「热门资讯」2021年一季度第三代半导体前沿汇编

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相识最新资讯，把握市场行情，宽禁带同盟将以【热门资讯】专栏连续为家人们出现第三代半导体行业季度热门资讯，探究宽禁带半导体财产康健进展之路。

庞大投资要闻

1、比亚迪、中车期间电气同时公布上市

1月初，比亚迪通告称，公司董事会集会审议通过了《关于拟操持控股子公司分拆上市的议案》，董事会同意公司控股子公司比亚迪半导体株式会社（以下简称“比亚迪半导体”）操持分拆上市事变，并授权公司及比亚迪半导体治理层启动分拆比亚迪半导体上市的前期筹办事情。不足为奇，中车期间电气也在港交所公布通告称，该公司就发起刊行A股向上交所提交包罗A股招股阐明书（报告稿）在内的申请质料，上交所已予以受理并依法举行考核。2021年功率半导体有望迎来高景气周期，财产链相干企业上市，无疑将会加快其分享功率半导体行业盈余的历程。

2、20亿碳化硅项目落地新疆昌吉！年产8万片

2月20日，昌吉回族自治州进行招商引资项目“云签约”典礼，当日现场签约16个项目，涉及新质料、新能源、商贸物流、农副产物博识加工、文化旅行等多个范畴，总投资达93.4亿元。此中江苏连云港亮晶新质料科技有限公司碳化硅单晶圆芯片项目总投资额20亿元，为当日最大的投资项目。

3、斯达半导募资35亿元，投建SiC芯片/功率半导体模块等项目

3月2日晚，斯达半导（603290.SH）公布定增预案，通告表现，公司拟非公然刊行股票募资不凌驾35亿元，此中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC研发及财产化项目，估计达产后年产36万片功率半导体芯片；7亿元用于功率半导体模块生产线主动化改革项目，达产后，估计新增年产400万片的功率半导体模块。

4、同光晶体完成C轮融资 加速实现产能提拔

2021年1季度，同光晶体先后完成C轮、C+轮融资，分别由CPE和银河源汇领投。新资金的注入将推动同光晶体焦点技能的研发创新，加速市场拓展和新制造基地的设置装备摆设，助力公司各项营业的快速进展。

企业与市场动态

1、「天科合达」荣获2020年度中国科学院科技促进进展奖

2021年1月15日，中国科学院2021年度事情集会在京召开，集会发表了中国科学院2020年度各种科技奖项，北京天科合达公司和中国科学院物理研究所的“碳化硅晶体生长和加工技能研发及财产化团队”荣获2020年度中国科学院科技促进进展奖。

2、青铜剑第三代半导体财产基地进行奠定典礼

1月18日，青铜剑第三代半导体财产基地奠定典礼在深圳坪山盛大进行，总修建面积近5万平方米，估计2022年末竣工。该基地将作为青铜剑科技团体总部，同时设置装备摆设第三代半导体研发中间、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中间孵化器等。

3、泰科天润：力图浏阳项目春节前投产，满产后年产值估计13亿至14亿元

浏阳泰科天润碳化硅芯片项目

泰科天润浏阳项目位于浏阳经开区（高新区）新能源尺度厂区内，现在90%的生产设置装备摆设已到位，大部门设置装备摆设处于工艺调试阶段。项目建成满产后可实现6万片/年的6英寸碳化硅功率芯片生产及贩卖。这意味着，项目一旦投产，将打造一条极具市场竞争力的碳化硅功率器件生产线。

4、山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目启动试生产

1月15日，山东国宏中能科技进展有限公司投资设置装备摆设的年产11万片碳化硅衬底片项目在山东河口经济开辟区建成并启动试生产。总投资6.5亿元，总修建面积3万平方米，本项目团体两期计划设置装备摆设完毕并全部投产后，估计均匀年业务收入约7亿元，企业年纳税总额约5000万元。
5、苏州纳维科技第三代半导体财产基地在苏州园区奠定

1月24日，苏州纳维科技有限公司进行总部大楼奠定典礼。项目占地面积超1.4万平方米，总修建面积超3.4万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。苏州纳维科技2007年由中科院苏州纳米所徐科研究员建立，致力于氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与财产化。

6、比亚迪：启动碳中和计划研究，推出高性能碳化硅芯片

日前，为积极相应国度“2030年前碳达峰、2060年前碳中和”目的，推动应对天气改变《巴黎协定》全面有用实行，比亚迪公布正式启动企业碳中和计划研究，探究新能源汽车行业碳足迹尺度。比亚迪针对交通运输范畴碳减排，提出给汽车尾气排放做三个“1/3”减法，助力零碳目的。比亚迪推出了高宁静刀片电池、高性能碳化硅芯片、高服从DM-i超等混动体系，加快私人车电动化历程，餍足民众对绿色出行的优美需求。

7、碳化硅全财产链渐入佳境，湖南第三代半导体财产“蓄势待发”

2020年2月，湖南省工信厅印发了《湖南省数字经济进展计划（2020-2025年）》，湖南将推动IGBT、第三代半导体等庞大项目，加速实现范围化生产本领。中车期间电气早在2010年左右开始构想SiC芯片，2017年8月，株洲中车期间电气第三代功率半导体器件生产线生产厂房交付利用。同年12月SiC芯片生产线便完成了工艺设置装备摆设技能调试，2018年1月首批芯片试制乐成。2020年，中车期间电气开辟出地铁全SiC牵引变流器，同年11月，其 “基于SiC器件的牵引变流器”在第二十二届中国国际高新技能结果生意业务会上展出。

8、环球首发！中国中车正式交付首列全碳化硅永磁直驱列车

3月24日，苏州市轨道交通3号线工程车辆全碳化硅永磁直驱列车环球首发运动在苏州市轨道交通3号线浒墅关车辆段进行。此辆列车采纳第三代全碳化硅半导体技能，走行风冷永磁直驱电机，完全自主知识产权永磁直驱转向架，标记着中车首列全碳化硅永磁直驱列车正式交付。

9、博世半导体新行动：300mm晶圆厂，SiC，根本半导体

博世投资约10亿欧元的德累斯顿晶圆厂在本年1月开始了首批晶圆的制备，并打算于6月正式投入运营。3月份开始，博世将开始基于新工场的晶圆生产首批高度庞大的集成电路。3月9日，博世公布，从属于博世团体的罗伯特·博世创业投资公司（RBVC）已完成对根本半导体的投资。

政策信息

1、工信部：海思、中芯国际等90家单元申请筹建“天下集成电路尺度化委员会”

1月28日，工信部官网消息，为统筹推进集成电路尺度化事情，增强尺度化步队设置装备摆设，有关单元提出了天下集成电路尺度化技能委员会筹建申请，秘书处拟设在中国电子技能尺度化研究院，公示期一个月。对外公然的委员单元包罗深圳市海思半导体、大唐半导体、华泰半导体、展锐通讯等90家。

2、北京：加快第三代半导体等范畴技能和产物的研发历程

2021年1月20日，国务院消息办公室进行消息公布会，先容落实五中全会精力，加速推进北京国际科技创新中间设置装备摆设的有关情形。会上，北京市副市长、秘书长靳伟表现，到2025年，北京国际科技创新中间根本形成。到2035年，北京国际科技创新中间创新力、竞争力、辐射力环球领先，形成国际人才的高地，确切支持我国设置装备摆设科技强国。将来五年，北京要进一步对峙“锻长板”与“补短板”并重，驻足科技自主自强，对峙有所为、有所不为，围绕“四个面向”，开展重点范畴要害焦点技能研发事情，加快第三代半导体等范畴技能和产物的研发历程。

3、“十四五”打算中的SiC和GaN项目

科技部公布“十四五”国度重点研发打算“新型表现与计谋性电子质料”重点专项2021年度项目报告指南（收罗定见稿），此中涉及到碳化硅和氮化镓的有多个项目：

碳化硅相干

2.1面向新能源汽车应用的SiC功率电子质料与器件（共性要害技能）

2.7大尺寸SiC单晶衬底制备财产化技能(共性要害技能）

4.3中高压SiC超等结电荷均衡理论研究及器件研制

氮化镓相干

2.2 面向大数据中间应用的GaN基高效功率电子质料与器件（共性要害技能）

2.3 5G 移动通讯基站用GaN 基Sub-6 GHz 及毫米波质料与器件研发（共性要害技能）

2.4 InGaN 基长波段LED 要害质料与器件技能（共性要害技能）

4.4 GaN 基宽禁带半导体与Si 半导体的单片异质集成要领与技能

4.5 GaN 单晶复活长技能研究

4、苏州产业园区新添国度第三代半导体技能创新中间

克日，科技部批复支持苏州产业园区设置装备摆设国度第三代半导体技能创新中间。创新中间由深圳市人民当局、江苏省人民当局团结支持设置装备摆设，设置深圳平台和江苏平台，江苏平台以位于苏州产业园区的江苏第三代半导体研究院为设置装备摆设实行单元。

行业及技能观看

1、英飞凌曹彦飞：2025年碳化硅会到达20%左右市场份额

英飞凌科技大中华区高级副总裁兼汽车电子奇迹部卖力人曹彦飞颁发看法

在2020年，环球半导体的市场范围到达了4330亿美元。在2019年因为环球商业的颠簸和一些其他综合身分，有过短暂的降落，但是在方才已往的2020年，疫情以及宏观经济的双重挑衅之下，半导体行业仍旧有5%左右的增进， 将来看，年复合增进率在5.8%左右，此中汽车半导体增进是高于行业的均匀增进率的，也许是7%左右。新能源是恒久趋向，2025年之前传统燃油车依旧还会据有相应的主导职位地方，固然中心陪同着新能源，包罗BEV、PHEV强劲的进展，由此也带来了碳化硅的快速进展期，也许在2025、2026年左右，碳化硅就会到达也许20%左右的市场份额，典范的应用范畴包罗主逆变器、OBC和DC/DC。

2、我国在氮化镓界面态研究方面取得紧张希望

克日，微电子所高频高压中间刘新宇研究员团队与先导中间工艺平台互助，在GaN界面态研究范畴取得了紧张希望，在LPCVD-SiNx/GaN界面得到原子级平坦界面和国际先辈程度的界面态特性，提出了实用于较宽能量范畴的界面态U型漫衍函数，实现了分离能级与界面态的分散。

原子级平坦界面、先辈程度界面态密度及U型漫衍函数

相干论文毗连：

http://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220332888

3、深圳根本半导体：打造国际一流碳化硅IDM

根本半导体引进国表里该范畴着名高校的高端人才及行业内有富厚履历和深厚技能本领的专家，原质料提供采纳国内和外洋两条完备财产链独立轮回的模式，自建外延、晶圆和封装的自主生产基地，对标国际尺度、汲取汽车行业的履历，产物以汽车品级的要求设计开辟，生产基地完全根据车规尺度来设置装备摆设严厉质量操纵的车规线。别的，根本半导体还在总部建成了功效壮大、切合CNAS尺度要求的“碳化硅功率器件工程试验室”。

4、科锐推出新型Wolfspeed WolfPACK SiC功率模块

1月12日，科锐公布推出 Wolfspeed WolfPACK™ 功率模块，扩展其办理方案范畴，并为包罗电动汽车快速充电、可再生能源和储能、产业电源应用在内的种种产业电源的性能开启新期间。

5、学术界碳化硅器件技能新希望

2021年名古屋产业大学研究小组提出一种无损丈量碳化硅器件中载流子寿命的要领。利用引发激光器来创建载流子，并利用带有检测器的探针激光器来丈量引发载流子的寿命。

名古屋产业大学提出的无创载流子寿命丈量技能

另一项SiC希望来自弗劳恩霍夫太阳能体系研究所(ISE)的研究职员，他们发觉一种新型的SiC晶体管，因为其高阻断电压，可以直连续接到中压电网。这些新器件与大多数逆变器相反，它们向低压电网供电，但可以利用50赫兹变压器与中压电网耦合。

弗劳恩霍夫ISE团队创建的250-kVA的逆变器货仓，此中包罗3.3-kv-SiC-晶体管

6、联电首款6.6kW车载充配电单位批产采纳SiC MOSFET

2 月 3 日，团结电子首款 6.6kW 车载充配电单位（CharCON）在上海厂顺遂批产。此中车载充电机可以实现 6.6kW AC/DC 和 3.3kW DC/AC 的双向转换，高压直流转换器 DCDC 功率达 3kW。团结电子 6.6kW CharCON 采纳无桥 PFC 拓扑，并利用 SiC MOSFET（碳化硅）器件，提拔了产物服从，峰值服从到达 95.5%，满载服从典范值 >94%。

7、瀚每天成：团结攻关，碳化硅超结要害制造工艺取得汗青性突破

3月初，瀚每天成电子科技(厦门)有限公司团结电子科技大学、中国科学院相干院所、重庆伟特森电子科技有限公司，突破了碳化硅超结深槽外延要害制造工艺，乐成研发出具有优胜填隙本领的碳化硅超结制造工艺，添补形貌如图1所示。

图1 碳化硅深槽刻蚀工艺添补形貌

8、英国推出8寸硅基GaN HEMT代工办事，年产能70万片

英国研究与创新（UKRI）局正在支持化合物半导体中间有限公司（CSC）和纽波特晶圆厂（NWF）在200mm晶圆平台上提供代工级650V硅基GaN HEMT工艺。HEMT制造工艺技能将创建在纽波特晶圆厂30年硅功率器件制造传统的底子上，该传统在汽车(IATF 16949)质量认证的量产情况下开辟。该外延办理方案将使用CSC与其母公司IQE互助开辟的知识产权，在其位于英国卡迪夫的工场中的Aixtron G5 200mm大批量制造平台上举行。

9、2021年SiC/GaN功率器件营收猜测：第三代半导体高速发展

依据TrendForce集邦咨询，2021年第三代半导体发展动能有望高速回升。预估其本年市场范围将达6,100万美元，年增率高达90.6%。疫情有所趋缓动员产业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等，以及通讯基站需求回稳，随着特斯拉（Tesla）Model 3电动车逆变器渐渐改采SiC器件制程后，第三代半导体于车用市场渐渐备受器重，中国当局为提拔半导体自主化，本年提出十四五打算投入巨额人民币扩大产能，上述都将成为推升2021年GaN及SiC品级三代半导体高速发展的动能。

10、丰田“零缺陷”6英寸碳化硅衬底将量产
3月1日，丰田通商对外公布利好消息：他们团结日本关西学院（Kwansei Gakuin University）采纳一种外貌纳米操纵工艺技能——Dynamic AGE-ing，乐成开辟了“零缺陷”的第三代功率半导体质料——6英寸SiC衬底据先容，Dynamic AGE-ing通过消除SiC衬底的缺陷，进步了SiC衬底的质量和产能。

简洁来说，Dynamic AGE-ing是一种将热蚀刻和晶体生长集成在一路的非打仗式纳米操纵工艺技能，通过将SiC衬底置于1600℃至2100℃的超高温气相情况中，该技能就可以主动将原子分列在外貌上，从而就可以或许彻底去除加工应变层，而零缺陷重要是通过制止BPD来实现的（见图1）。