富士通初次展现氮化铝衬底生长氮化镓使用潜力

当前在GaN外延片方面，重要有两种衬底技能，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓），此中GaN-on-SiC则联合了SiC优秀的导热性和GaN的高功率密度和低消耗的本领，射频性能更好。美国科锐Cree（Wolfspeed）正是这条门路的领头羊，将竞争敌手富士通甩在背面。

日本人固然会抵抗，他们选择了弯道超车。前不久，富士通公布，乐成地实现了AlGaN/GaN高电子迁徙率晶体管（HEMTs）在X波段的高功率射频（RF）操纵，该结果颁发在“AppliedPhysics Express”（应用物理快报）。简而言之，富士通在氮化铝衬底上生长氮化镓外延，而且展示出该结果在高频大功率应用场景的庞大潜力。论文链接：http://doi.org/10.35848/1882-0786/abec90

富士通展示的AlGaN/GaNHEMTs布局

富士通的该项结果细致形貌为，AlN衬底上的HEMT由200nm厚的GaN沟道和Al含量为30%的AlGaN缓冲层构成。因为AlN衬底上HEMT的高击穿电压，事情电压为70V时乐成地实现了15.2Wmm−1的输出功率密度。

由此带来的思索是，AlN衬底门路的要害点在于相比SIC衬底，它的生长制备难度更大，财产化底子还要创建在氮化铝晶体和衬底制备技能取得长足希望之上。

编译整顿YUXI

泉源：粉体网