2021年4月热门资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿

1、赛微电子拟在青州投建6-8 英寸氮化镓功率器件半导体制造项目

4月1日，赛微电子公布通告称，公司与青州市人民当局签订《互助协议》，配合推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目标设置装备摆设，进一步美满GaN营业的全财产链IDM(垂直整合制造)结构。投资10亿元，总占地面积30亩，一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产本领，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产本领。

2、广东志橙SiC研发制造总部项目

4月6日，志橙半导体SiC质料研发制造总部项目通过了广东省投资项目在线审批羁系平台的复核，打算开工时间为2021年5月1日，项目打算2025年达产。据相识，该项目于2020年11月28日签约，落户广州黄埔区永和街道，占地面积15276平方米，总投资额3.32亿元，牢固资产投资额2.5亿元，项目达产产值约5亿元。

3、II-VI在中国扩大SiC生产范围

为了餍足亚洲市场的需求，II-VI在中国福州的II-VI亚洲区总部创建了一条用于导电SiC衬底的后端加工线，位于50,000平方英尺的新干净室空间中。包罗边沿研磨、化学机器抛光、干净和检测，全部这些操纵均在100级和1000级干净室中举行。该工场是II-VI已经公布的打算的一部门，该打算将在五年内将其SiC衬底的生产本领进步五至十倍，此中包罗直径200 mm的衬底。

4、根本半导体推出PD快充用碳化硅二极管

针对PD快充“小浮滑”的特点，碳化硅功率器件领先企业根本半导体在国内领先推出SMBF封装碳化硅肖特基二极管新品，该产物具有体积小、正领导通压低和抗浪涌本领强等特点，能很好地餍足PD快充对器件的特别需求。

图：SMBF封装碳化硅肖特基二极管

5、瑞能助力第三代半导体“接棒跑”，推动财产升级

瑞能对传统范畴的二极管做出了产物迭代，近期推出第四代和第五代的二级管产物，格外针对现在的应用高频化，高效化做了格外的优化。对整个产物的组合，瑞能本年推出了TVS/ESD的爱护器件，可以或许用于更多的应用范畴。瑞能半导体市场部总监谢丰（Brian Xie）以为，瑞能的重要竞争上风在于产物的可靠性与稳健交付。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）显现以及日趋成熟和全面贸易化遍及，普通产业应用要求1000小时已经无法餍足一些客户严苛的要求，瑞能产物可以或许举行3000小时的测试，很好地餍足客户需求。

图：采纳MPS技能，瑞能碳化硅肖特基二极管的技能上风

6、SiC赋能光伏与可再生能源功率转换

SiC 已经被验证可比传统采纳 Si 的方案更有用率。组串式光伏体系在一系列光伏板和毗连到电网的逆变器之间采纳最大功率点追踪 (MPPT)。MPPT 在素质上是升压转换器对付体系设计性能的服从和功率密度是至关紧张的。在曩昔的设计之中，升压转换器大概是基于 IGBT 的，其器件开关在 15–30 kHz，服从范畴在~97%。通过在雷同升压电路中采纳 Wolfspeed C3M MOSFET 和 C4D 二极管，体系层面服从如今可以到达最高 99.5%，且总体 MPPT 尺寸和本钱都有明显革新（图1）。

图1. 采纳 IGBT 的 50-kW MPPT 升压器（左）和采纳Wolfspeed SiC 的 60-kW MPPT 升压器（右）的物理尺寸比拟

7、SiC技能改造列车电气体系

西门子交通团体与英飞凌科技公司团结开辟了新型帮助转换器，以进步SiC基功率半导体的车载电源体系的服从。使用SiC，我们实现了更高的开关速率和服从，以减小变压器、电容器、冷却元件和外壳的尺寸。这种半导体质料的上风是显而易见的，如今已经在轨道交通中得到了充实使用。”英飞凌产业电源操纵部分总裁Peter Wawer说。

8、泰科天润展出三款百瓦碳化硅快充参考设计

在4月14日-16日举行的慕尼黑上海电子展上，泰科天润展出了三款基于碳化硅二极管的百瓦级别快充参考设计，涵盖200W、120W和100W三个热门功率段，此中200W与120W的参考设计采纳PFC+LLC架构，多口输出。100W为PFC+QR，同样为AC-DC牢固电压输出，差别接口采纳独立降压输出的方法。

9、国基南边SiC MOSFET电力电子器件入选十大国有企业数字技能结果

4月25日，国务院国资委在第四届数字中国设置装备摆设峰会上举行国有企业数字化转型论坛。论坛上，初次会合公布了十大国有企业数字技能结果。此中，国基南边SiC MOSFET电力电子器件作为焦点电子元器件类代表，乐成入选并正式对外公布。SiC MOSFET是面向绿色环保、节能减排应用需求的电能转换焦点器件。

10、ST意法半导体推出三款半桥氮化镓单芯片

ST意法半导体推出了三款MasterGaN器件，MasterGaN器件内部集成了两颗GaN开关管及驱动器，构成半桥器件，是一款先辈的体系级功率封装，可输入规律电压信号轻松操纵器件。ST的MasterGaN系列均为半桥器件，内置650V耐压的加强型氮化镓开关管，支持零下40到125摄氏度事情温度范畴，三款器件仅内置开关管参数差别。

11、清华大学建立“集成电路学院”，致力于破解“洽商”困难

本年年头，国务院学位委员会、教诲部设置“集成电路科学与工程”一级学科，以求为从基础上办理制约我国集成电路财产进展的“洽商”题目提供强有力人才支持。建立清华大学集成电路学院，将对准集成电路“洽商”困难，聚焦集成电路学科前沿，冲破学科壁垒，强化交织融合，突破要害焦点技能，造就国度急需人才，实现集成电路学科国际领跑，支持我国集成电路奇迹的自主创新进展。

12、中科院院士：6G期间，宽禁带半导体市场潜力庞大

在第十五届中国电子信息技能年会主论坛（4月18日）上，中国科学院院士、中国电子学会副理事长、西安电子科技大学传授郝跃表现，在将来新的6G通讯范畴，估计6G通讯2030年或将会进入财产化，将来宽禁带半导体开释庞大市场潜力和壮大进展动力。

13、多地出台政策助力宽禁带半导体财产进展

保定市当局与北京大学宽禁带半导体研究中间、中创燕园半导体科技有限公司签订协议，共建北京大学宽禁带半导体研究中间保定试验区。使用得天独厚的区位上风，积极承接北京非都城功效讲明，踏实推进都会转型、财产转型，尽力构建京雄保一体化进展新格式，办事庞大国度计谋的必要，是打造协同创新互助范例的紧张实践。

石家庄市人民当局办公室公布了《关于新时期促进集成电路财产和软件财产高质量进展的实行定见》的关照，旨在做大做强专用集成电路、底子质料和嵌入式软件等数字经济焦点财产，培养进展集成电路设计、制造、封装测试和产业软件设计等新兴财产。扩大氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)晶圆加工本领，提拔4英寸/6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延质料品格，加速6英寸碳化硅外延、氮化镓外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封装质料量产化历程。

广东省人民当局公布《广东省百姓经济和社会进展第十四个五年计划和2035年前景目的纲领》，集成电路被划重点，积极进展第三代半导体。文件指出，加速培养半导体与集成电路财产，结构设置装备摆设高端特色模仿工艺生产线和SOI（硅晶绝缘体技能）工艺研发线，积极进展第三代半导体、高端SOC（体系级）等芯片产物。

湖南省人民当局出台《湖南省百姓经济和社会进展第十四个五年计划和二〇三五年前景目的纲领》，文件指出，湖南将鼎力大举培养新兴和将来财产。实行计谋性新兴财产培养工程，积极推动新一代半导体、生物技能、绿色环保、新能源、高端装备等财产进展，构建一批财产进展新引擎。推进半导体要害焦点成套设置装备摆设研发和财产化，加速6英寸碳化硅质料及芯片、中低压功率半导体等财产化进展，建玉成国最大碳化硅全财产链生产基地，创开国家级半导体装备制造地区中间。