ST意法半导体推出了三款MasterGaN器件，MasterGaN器件内部集成了两颗GaN开关管及驱动器，构成半桥器件，是一款先辈的体系级功率封装，可输入规律电压信号轻松操纵器件。ST的MasterGaN系列均为半桥器件，内置650V耐压的加强型氮化镓开关管，支持零下40到125摄氏度事情温度范畴，三款器件仅内置开关管参数差别。

一、MasterGaN1

图为ST MasterGaN1的评估板，毗连为半桥输出，左侧为驱动信号输入，右侧为半桥输出，左侧下方是一颗稳压器，为MasterGaN1提供稳压供电。

通过评估板图片可以看出，MasterGaN1器件将操纵信号和功率走线离开，便于走线结构设计。

ST MasterGaN1 特写。

MASTERGAN1内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V，导阻150mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，对称半桥，事情电流10A，低侧和高侧均具有欠压封闭爱护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功效，且具有正确的内部定时立室。具有独立的关断引脚，具有滞回和下拉的3.3-15V输入信号，外围元器件精简，具有非常紧凑和轻便的结构，可实现机动快捷的设计。

二、MasterGaN2

MASTERGAN2为非对称设计的半桥布局，上管为225mΩ，下管为150mΩ，别的功效与MASTERGAN1同等，可用于ACF拓扑。

ST MasterGaN2 特写。

ST MasterGaN2内部集成225mΩ上管和150mΩ下管。

三、MasterGaN4

MasterGaN4为对称半桥布局，内置两颗225mΩ导阻的高压GaN开关管。

ST MasterGaN4 特写。

ST MasterGaN4内部集成225mΩ上管和225mΩ下管。

小体例表便利家人们看出差别型号之间的区别。

别的，另有基于MasterGaN1的250W输出功率LLC谐振电源EVLMG1-250WLLC。

这款电源采纳400V直流输入，输出电压24V，尺寸为100*60mm，开关管和同步整流均焊接在小板上，进步空间使用率，便于散热。

电源反面高压侧有一颗操纵器。

采纳L6599A LLC操纵器操纵一个MasterGaN1举行LLC谐振运行。

焊接MasterGaN1的小板，没有任何帮助散热步伐，仅靠PCB散热。基于器件内置的两颗150mΩ氮化镓开关管，就可通过LLC谐振输出250W高功率。

充电头网总结

ST推出的MasterGaN系列产物，对付半桥架构的开关电源来说，是一颗非常得当的芯片。MasterGaN其9*9mm的封装看起来比力大，但是比起两颗8*8的GaN开关管加上独立的驱动器，占板面积大大缩小。同时合封器件也大大减小了寄见效应对服从的影响，进步电源产物的服从和可靠性。

MasterGaN优化的散热焊盘与走线结构，大大简化了PCB设计，相宜应用在高功率密度的大功率电源中，增添可靠性，减小体积，低落散热需求。