铌酸锂电光调造器

具有“光学硅”之称的铌酸锂是一种集光折变效应、非线性效应、电光效应、声光效应、压电效应与热电效应即是一体的质料，可以制备集成光子回路中的光波导、光开关、分/合束器、压电调制器、热电调制器与电光调制器等器件，此中铌酸锂调制器是光子集成回路和当代通讯的焦点器件，已成为当前电光调制器市场的主流产物。

铌酸锂是一种非常紧张的非线性质料，它的透亮波段非常宽，从350nm到5.2um，其在非线性光学(激光频率转换)、光电调制等范畴应用非常遍及。

现在，铌酸锂调制器重要应用于长间隔通讯中，其对性能要求较高，而体积成为次要思量身分。但是在数据中间中，性能相对要求较低，而对体积和功耗的要求更高，铌酸锂调制器明显不如硅基、InP等片上集成的调制器受青睐。

为了减小其体积，研究职员做了许多实验。好比在Si衬底上键合一层铌酸锂薄膜，进而再加工波导和RF电极，形成调制器。

总的说来，颠末这么多年的进展，铌酸锂调制器技能已经非常成熟，其性能优秀，应用遍及。可以鉴戒其高速RF电极的设计，应用在硅基调制器的设计上。

新特光电提供的电光Q开关采纳了最高光学品格铌酸锂。铌酸锂的光电效应使其对几种激光范例的普克尔盒Q开关上具有极其紧张的作用(包罗: Nd:YAG、Nd:YALO、Nd:YLF和Er:YLF)。

铌酸锂晶体Q开关可同时用于军事和贸易应用，包罗目的位置传送体系、激光测距和眼科手术。当利用在垂直于光轴或Z轴的横向电场上时，铌酸锂可以或许在一个较大的温度范畴内体现出高消光比、极低传输消耗、低开关电压和恒温的特性。这些晶体的特性，联合基于铌酸锂晶体的生长及精良的抗反射(AR)镀膜方面的专业知识，使其成为军用加固、产业应用中的抱负选择。

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