湖南三安点亮中国首条碳化硅垂曲整合消费线

6月23日上午，位于长沙高新财产园区的湖南三安半导体正式点亮投产。

湖南三安半导体总投资160亿元，计划用地面积约1000亩，自2020年7月破土动工，历时不到一年，一座从碳化硅晶体生长到功率器件封测的全财产链当代化生产基地，月产30,000片6寸碳化硅晶圆的超等工场完工并投产。

点亮典礼上，三安光电株式会社副董事长、总司理林科闯在致辞中表现，湖南三安半导体的营业涵盖衬底质料、外延生长、晶圆制造及封装测试等关键，打造了国内第一条、环球第三条碳化硅垂直整合财产链，为客户提供高品格定时交付，兼具范围化生产本钱上风。

湖南省委副布告、省长毛伟明对湖南三安半导体的正式投产表现庆贺，湖南三安半导体的完工及投产，为长沙注入强“芯”剂，将进一步加速长沙集成电路和电子信息财产的聚拢与进展。据悉，湖南三安半导体估计将实现年贩卖额120亿元，年奉献税收17亿元，提供数千个就业岗亭，并动员周边配套财产近万就业时机。

驻足华中，办事环球，加快电源变更范畴遍及宽禁带半导体

第三代半导体质料具有优胜的电气性能，可以餍足电力电子技能对高温、高功率、高压、高频的新要求。湖南三安半导体通过大范围生产，以及自有碳化硅质料制备专利，可以遍及应用于通讯、办事器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等范畴，配合实现宽禁带半导体器件的遍及。

打造研发制造办事平台型公司，支持高新财产在湘开枝散叶

湖南三安半导体是中国首条碳化硅垂直整合财产链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的机动多元互助方法，有利于形成以长沙高新园区为中间的宽禁带半导体财产聚落，加快上游IC设计公司设计与验证迭代，收缩卑鄙终端产物上市周期，推动财产链繁荣进展。

用质料创新推动技能厘革，助力2060碳中和愿景告竣

在迈向碳中和的门路上，人们必要更高效的干净能源。第三代半导体质料以其优秀电性能特性，关心电源变更体系实现优秀的功率密度和杰出的体系服从，使其在新能源汽车、光储充等场景中发挥要害作用。作为公司恒久可连续进展计谋的一部门，公司会连续投入加快结构，致力于化合物半导体集成电路营业的进展，高兴打造具有国际竞争力的半导体制造和办事平台。