第二届集成电路财产取资源创新论坛第三代半导体专场乐成进行

6月29日，第二届集成电路财产与资源创新论坛暨南京创新周百场系列运动在南京进行。中关村天合宽禁带半导体技能创新同盟（以下简称“宽禁带同盟”）主理第三代半导体分会场，聘请复旦大学雷光寅研究员、国度电网公司联研院传授级高工杨霏博士、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学研究生导师许恒宇博士、中国电子科技团体公司第五十五研究所副主任设计师李赟博士、北京天科合达半导体株式会社常务副总司理/江苏天科合达半导体有限公司总司理彭同华研究员五位着名专家作主题陈诉。专家从质料、器件、模块、应用全财产链角度与现场观众配合探究当前第三代半导体碳化硅技能近况与进展态势，促进多方交换与互助。会场吸引约百名行业内专家登科三代半导体从业职员到场。

第三代半导体专场运动现场

主题陈诉：《车载碳化硅功率模块及其应用》 雷光寅

主题陈诉：《高压碳化硅半导体器件研发希望及其在电力体系应用场景阐发》 杨霏

主题陈诉：《碳化硅器件技能题目及研究希望》许恒宇

主题陈诉：《用于IGBT的4H-SiC质料生长技能》 李赟

主题陈诉：《碳化硅衬底财产技能近况及进展态势》 彭同华

第三代半导体是支持新能源汽车、能源互联网、新一代移动通讯等财产自主创新进展和转型升级的重点焦点质料和电子元器件，切合节能减排、智能制造、信息宁静等国度庞大计谋需求，被列为国度科技创新2030庞大项目“重点新质料研发及应用”紧张偏向之一。同盟举行这次第三代半导体专场得到了业内专业人士的遍及存眷。同盟将不停提拔自身的营业办事本领，为实现我国宽禁带半导体财产全财产链快速、连续进展而不懈高兴。

第三代半导体专场所影