中国第三代半导体全名单
据业内权势巨子人士吐露，我国打算把鼎力大举支持进展第三代半导体财产，写入“十四五”计划，打算在2021-2025年时期，在教诲、科研、开辟、融资、应用等等各个方面，鼎力大举支持进展第三代半导体财产，以期实现财产独立自主。
什么是第三代半导体？
第三代半导体因此碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体质料，具有高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率、高电子密度、高迁徙率、可蒙受大功率等特点。
一、二、三代半导体什么区别？
一、质料：
第一代半导体质料，发明并有用于20世纪50年月，以硅（Si）、锗（Ge）为代表，格外是Si，组成了统统规律器件的底子。我们的CPU、GPU的算力，都离不开Si的劳绩。
第二代半导体质料，发明并有用于20世纪80年月，重要是指化合物半导体质料，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。此中GaAs在射频功放器件中饰演紧张脚色，InP在光通讯器件中应用遍及……
而第三代半导体，发明并有用于本世纪初年，涌现出了碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等具有宽禁带（Eg＞2.3eV）特性的新兴半导体质料，是以也被成为宽禁带半导体质料。
二、带隙：
第一代半导体质料，属于间接带隙，窄带隙；第二代半导体质料，直接带隙，窄带隙；第三代半导体质料，宽禁带，全组分直接带隙。
和传统半导体质料相比，更宽的禁带宽度许可质料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
三、应用：
第一代半导体质料重要用于分立器件和芯片制造；
第二代半导体质料重要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，也是制作高性能微波、毫米波器件的精良质料，遍及应用在微波通讯、光通讯、卫星通讯、光电器件、激光器和卫星导航等范畴。
第三代半导体质料遍及用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器件，应用于半导体照明、5G通讯、卫星通讯、光通讯、电力电子、航空航天等范畴。第三代半导体质料已被以为是当今电子财产进展的新动力。
碳化硅（SiC）（第三代）具有高临界磁场、高电子饱和速率与极高热导率等特点，使得其器件实用于高频高温的应用场景，相较于硅器件（第一代），可以明显低落开关消耗。
是以，SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件（第一代）相比，氮化镓（GaN）（第三代）具有高临界磁场、高电子饱和速率与极高的电子迁徙率的特点，是超高频器件的极佳选择，实用于5G通讯、微波射频等范畴的应用。
第三代半导体质料具有抗高温、高功率、高压、高频以及高辐射等特性，相比第一代硅（Si）基半导体可以低落50%以上的能量丧失，同时使装备体积减小75%以上。
第三代半导体属于后摩尔定律观点，制程和设置装备摆设要求相对不高，难点在于第三代半导体质料的制备，同时在设计上要有上风。
第三代半导表现状
因为制造设置装备摆设、制造工艺以及本钱的劣势，多年来第三代半导体质料只是在小范畴内应用，无法挑衅Si基半导体的统治职位地方。
现在碳化硅（SiC）衬底技能相对简洁，国内已实现4英寸量产，6英寸的研发也已经完成。
氮化镓（GaN）制备技能仍有待提拔，国内企业现在可以小批量生产2英寸衬底，具备了4英寸衬底生产本领，并开辟出6英寸样品。
中国三代半导体质料中和环球的差距
一、中国在第一代半导体质料，以硅（Si）为代表和环球的差距最大。
1、生产设置装备摆设：险些全部的晶圆代工场都市用到美国公司的设置装备摆设，2019年环球前5名芯片设置装备摆设生产商3家来自美国；而中国的北方华创、中微半导体、上海微电子等中国优异的芯片公司只是在刻蚀设置装备摆设、洗濯设置装备摆设、光刻机等部门细分范畴实现突破，设置装备摆设范畴的国产化率还不到20%。
2、应用质料：美国已一连多年位列第一，我国的高端光刻胶险些依靠入口，环球5大硅晶圆的提供商据有了高达92.8%的产能，美国、日本、韩国的公司具有把持职位地方。
3、生产代工：2019年台积电市场占据率高达52%，韩国三星占了18%左右，中国最优异的芯片制造公司中芯国际只占5%，且在制程上前面两个相差30年的差距。
二、中国第二代半导体质料代表的砷化镓（GaAs）已经有突破的迹象。
1、砷化镓晶圆关键：依据Strategy Analytics数据，2018年前四大砷化镓外延片厂商为IQE（英国）、全新光电（VPEC，台湾）、住友化学（Sumitomo Chemicals，日本）、英特磊（IntelliEPI，台湾），市场占据率分别为54%、25%、13%、6%。CR4高达98%。
2、在砷化镓晶圆制造关键（Foundry+IDM）：台湾系代工场为主流，稳懋（台湾）一家独大，据有了砷化镓晶圆代工市场的 71%份额，其次为宏捷（台湾）与环宇（GCS，美国），分别为9%和8%。
3、从砷化镓产物来看（PA为主），环球竞争格式也因此泰西产商为主，最大Skyworks（思佳讯），市场占据率为30.7%，其次为Qorvo（科沃，RFMD和TriQuint归并而成），市场份额为28%，第三名为Avago（安华高，博通收购）。这三家都是美国企业。
在砷化镓三大财产链关键：晶圆、晶圆制造代工、焦点元器件关键，现在都以泰西、日本和台湾厂商为主导。中国企业起步晚，在财产链中话语权不强。
不外从三个关键来看，已经有突破的迹象。如华为便是将手机射频要害部件PA通过本身研发然后转单给三安光电代工的。
4、中国在以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表第三代半导体质料方面有追逐和超车的良机。
因为第三代半导体质料及应用财产发明并有用于本世纪初年，列国的研究和程度相差不远，国内财产界和专家以为第三代半导体质料成了我们开脱集成电路（芯片）被动场合排场，实现芯片技能追逐和超车的良机。
就像汽车财产，中国便是使用进展新能源汽车的模式来拉近和美、欧、日系等汽车强国的间隔的，而且在某些范畴实现了弯道超车、换道超车的场合排场。三代半质料性能优秀、将来应用遍及，假如从这方面赶超是存在时机的。
中国三代半导体质料相干公司
第三代半导体研发历程中的测试难点
传统测试东西，测试效果会让研发职员困扰，无法推断真实的信号波形是因测试题目导致，照旧器件或体系自己的题目。
GaN 应用于PD快充，OBC，上管Vgs无法测试，意外试会导致烧板子，炸管，产物有宁静隐患
SiC多用于新能源逆变器、轨道交通、电驱动等大功率器件的应用，半桥及全桥电路上管无法正确丈量，意外试会导致烧板子，炸管，产物有宁静隐患，会导致捐躯SiC的优秀性能来包管产物宁静要求。
