MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技能。MRAM具有成为通用存储器的潜力-可以或许将存储存储器的密度与SRAM的速率联合在一路,同时始终连结非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抗击高辐射,可以在极度温度条件下运行,而且可以防窜改。这使得MRAM实用于汽车,产业,军事和太空应用。Everspin总署理英尚微电子提供技能支持产物办理方案。
下面先容Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
MRAM非易失性存储器险些可以在任何汽车体系中进步性能并低落本钱
•以全总线速率储存数据
•不测断电后马上规复状态
•提供AEC Q-100及格的1级(-40 / 125°C)和3级(-40 / 85°C)
爱护有代价的数据并低落本钱MRAM内存是保存珍贵的车辆数据,简化设计并低落BOM本钱的最佳办理方案。
爱护珍贵数据的最佳办理方案
•不必要分外的内存用于磨损平衡
•消除了昂贵的电容器
•不再必要功率消耗检测电路
•简化体系固件,始终连结非易失性
简化并低落BOM本钱
•无穷的耐用性,可宁静储存步伐代码
•快速写入-以体系总线速率事情的内存
•非易失性,数据连结温度> 20年
•不必要电容器,电池或缓冲液
最大化操纵体系的数据访问
MRAM在连结非易失性的同时最大化数据网络率
因为较长的读/写周期,耐用性限定而导致数据丢失
无漏掉数据,写入速率与SRAM一样快,非易失性,无磨损,电源妨碍时期很多据丢失
MRAM像SRAM一样是快速写入的,而像Flash一样也黑白易失性的,但是不必要页面擦除或长写入周期。变乱数据可以以总线速率储存到MRAM,而且纵然不测断电或失电也可以连结长期性。
Everspin AEC认证的汽车应用MRAM