Cypress署理铁电存储器FM25V10-GTR中文材料

FM25V10-GTR是采纳先辈铁电工艺的1Mbit非易失性存储器。铁电存储器或FRAM黑白易失性的，而且实行雷同于RAM的读取和写入操纵。它提供了151年的可靠数据保存，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的庞大性，开销和体系级可靠性题目。

FM25V10-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在规律上被构造为131,072×8位，并利用行业尺度的串行外围设置装备摆设接口（SPI）总线举行访问。FRAM的功效操纵雷同于串行闪存和串行EEPROM。FM25V10-GTR与具有雷同引脚分列的串行闪存或EEPROM之间的重要区别在于FRAM的优胜写入性能，高耐用性和低功耗。

与串行闪存和EEPROM差别，FM25V10-GTR以总线速率实行写操纵。没有写入耽误。每个字节乐成传输到设置装备摆设后，马上将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。别的，与其他非易失性存储器相比，该产物具有明显的写入历久性。FM25V10-GTR可以或许支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。

这些功效使FM25V10-GTR非常得当必要频仍或快速写入得非易失性存储器应用，比方数据网络（大概是要害的写入周期数）到苛刻的产业操纵，而串行闪存或EEPROM的较长写入时间会导致数据丢失。败北。

FM25V10-GTR作为串行EEPROM或闪存的用户，可作为硬件的替换品而得到实质性利益。FM25V10-GTR利用高速SPI总线，从而加强了FRAM技能的高速写入本领。FM25VN10提供了唯一的序列号，该序列号是只读的，可用于辨认电路板或体系。两种设置装备摆设都包罗一个只读的设置装备摆设ID，主机可以通过该ID来确定制造商，产物密度和产物版本。在–40℃至+85℃的产业温度范畴内包管器件的规格。

耐力
FM25V10-GTR器件至少可以被访问1014次，可以举行读取或写入。 FeRAM存储用具有读取和还原机制。是以，对付存储阵列的每次访问（读取或写入），将按行施加历久周期。 FRAM体系布局基于每个64位的16K行的行和列的阵列。整个行在内部访问一次，无论是读取照旧写入一个字节或全部八个字节。在历久性盘算中，该行中的每个字节仅被计数一次。下图表现了一个64字节重复轮回的历久性盘算，该轮回包罗一个操纵码，一个肇始地点和一个次序的64字节数据流。这将导致每个字节在整个轮回中履历一个长期周期。纵然在40 MHz时钟速率下，FRAM的读写长期性现实上也是无穷的。

影象操纵
SPI接口具有高时钟频率，彰显了FRAM技能的快速写入本领。与串行闪存和EEPROM差别，FM25V10-GTR可以以总线速率实行次序写入。不必要页面寄存器，而且可以实行任何数目的次序写入。

唯一序列号（仅FM25VN10）
FM25VN10器件包罗一个只读的8字节序列号。它可以用来唯一地标识电路板或体系。序列号包罗一个40位唯一编号，一个8位CRC和一个16位编号，可以依据客户的要求举行界说。假如不要求客户特定号码，则16位客户标识符为0x0000。

通过发出SNR操纵码（C3h）来读取序列号。 8位CRC值可用于与操纵器盘算出的值举行比力。假如两个值立室，则阐明从站和主站之间的通讯没有错误。该函数用于盘算CRC值。为了实行盘算，将7个字节的数据根据从该部门读取的次序添补到内存缓冲区中，即字节7，字节6，字节5，字节4，字节3，字节2，字节1。序列号。盘算是对7个字节实行的，效果应与8字节CRC值字节0的最终一个字节相立室。