FUJITSU署理FRAM 2MBit SPI MB85RS2MTA
富士通型号MB85RS2MTA是采纳262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片，利用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技能来形成非易失性存储单位。可以或许连结数据，而无需利用SRAM所需的备用电池。MB85RS2MTA采纳串行外围设置装备摆设接口SPI。
MB85RS2MTA中利用的存储单位可用于1013个读/写操纵，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操纵数目相比，有了明显革新。MB85RS2MTA不必要耗费很永劫间就可以写入闪存或E2PROM之类的数据，MB85RS2MTA不必要等候时间。FUJITSU署理可提供产物相干技能支持。
MB85RS2MTA特性
•位设置装备摆设：262,144字x8位
•串行外围设置装备摆设接口：SPI（串行外围设置装备摆设接口）
对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•事情频率：40MHz（最大）
•高历久性：1013次/字节
•数据保存：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年以上（+ 35°C）
•事情电源电压：1.8 V至3.6 V
•低功耗：事情电源电流2.3mA（最大@40 MHz）
待机电流50μA（最大值）
休眠电流10μA（最大值）
•事情情况温度（温度范畴：-40°C至+ 85°C
•封装：8针塑料SOP（FPT-8P-M09）
8针塑料DIP（DIP-8P-M03）
切合RoHS
引脚
FRAM具有特性能成绩技能“硬核”，FRAM是存储界的气力派。除非易失性以外，FRAM还具备三大重要上风：高读写入历久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同范例存储器无法相比的。此中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时FRAM写入数据可在150ns内完成、速率约为EEPROM的1/30,000，写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400，在电池供电应用中具有上风。与传统的存储技能相比，FRAM在必要非易失性、高速读写、低功耗、高读写历久等综合性能的应用范畴体现出众、口碑精良。
