FUJITSU署理FRAM 2MBit SPI MB85RS2MTA

2022-11-16 16:47:52 作者:少年梦,1993°
导读:FUJITSU代理FRAM 2MBit SPI MB85RS2MTA,富士通型号MB85RS2MTA是采用262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。能够...

富士通型号MB85RS2MTA是采纳262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片,利用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技能来形成非易失性存储单位。可以或许连结数据,而无需利用SRAM所需的备用电池。MB85RS2MTA采纳串行外围设置装备摆设接口SPI。

MB85RS2MTA中利用的存储单位可用于1013个读/写操纵,与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操纵数目相比,有了明显革新。MB85RS2MTA不必要耗费很永劫间就可以写入闪存或E2PROM之类的数据,MB85RS2MTA不必要等候时间。FUJITSU署理可提供产物相干技能支持。

MB85RS2MTA特性
•位设置装备摆设:262,144字x8位
•串行外围设置装备摆设接口:SPI(串行外围设置装备摆设接口)
对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•事情频率:40MHz(最大)
•高历久性:1013次/字节
•数据保存:10年(+ 85°C),95年(+ 55°C),200年以上(+ 35°C)
•事情电源电压:1.8 V至3.6 V
•低功耗:事情电源电流2.3mA(最大@40 MHz)
待机电流50μA(最大值)
休眠电流10μA(最大值)
•事情情况温度(温度范畴:-40°C至+ 85°C
•封装:8针塑料SOP(FPT-8P-M09)
8针塑料DIP(DIP-8P-M03)
切合RoHS

引脚

FRAM具有特性能成绩技能“硬核”,FRAM是存储界的气力派。除非易失性以外,FRAM还具备三大重要上风:高读写入历久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同范例存储器无法相比的。此中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时FRAM写入数据可在150ns内完成、速率约为EEPROM的1/30,000,写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400,在电池供电应用中具有上风。与传统的存储技能相比,FRAM在必要非易失性、高速读写、低功耗、高读写历久等综合性能的应用范畴体现出众、口碑精良。

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