Everspin署理非易失性256Kb串口mram存储器MR25H256ACDF

MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技能。MRAM具有成为通用存储器的潜力，可以或许将存储存储器的密度与SRAM的速率相联合，同时具有非易失性和节能性。MRAM可以抗击高辐射，可以在极度温度条件下运行，而且可以防窜改。这使得MRAM实用于汽车、产业、军事和太空应用。

下面先容一款Everspin非易失性256Kb串口mram存储器MR25H256ACDF。

MR25H256ACDF是一个串口MRAM，内存阵列规律构造为32Kx8，利用串行外围接口(SPI)的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口大众汽车。串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的下令子集，许可MRAM更换统一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上举行互操纵。与可用的串行存储器替换品相比，串行MRAM提供杰出的写入速率、无穷的耐用性、低待机和操纵功率以及更可靠的数据保存。MR25H256ACDF已公布量产，推举用于全部新设计。关于更多产物信息可咨询everspin署理，同时为客户提供产物相干技能支持。

MR25H256ACDF特性
•无写入耽误
•无穷写入历久性
•数据保存凌驾20年
•断电时主动数据爱护
•块写爱护
•快速、简洁的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范畴
•低电流就寝模式
•产业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封装。
•直接替换串行EEPROM、闪存、FeRAM
•产业级和AEC-Q1001级和3级选项
•湿度敏感度MSL-3

电气规格
该设置装备摆设包罗爱护输入免受高静态电压或电场破坏的电路；但是，发起接纳正常防备步伐，幸免将任何高于最大额定电压的电压施加到这些高阻抗(Hi-Z)电路上。

该设置装备摆设还包罗对外部磁场的爱护。应接纳防备步伐以幸免施加比最大额定值中划定的磁场强度更强的任何磁场。