赛普拉斯署理256Kbit串止FRAM存储芯片FM25V02A

功效概述
FM25V02A是利用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM黑白易失性的；与RAM雷同，它可以或许实行读和写操纵。它提供151年的可靠数据保存时间，并办理了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的庞大性、开销和体系级可靠性的题目。赛普拉斯署理英尚微电子提供技能相干支持。

与串行闪存和EEPROM差别，FM25V02A以总线速率实行写操纵。不会孕育发生写耽误。每个字节乐成传输到器件后，数据马上被写入到存储器阵列内。这时可以开始实行下一个总线周期而不必要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产物提供了更多的擦写次数。FM25V02A可以或许支持1014次读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。

因为具有这些特性，是以FM25V02A实用于必要频仍或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范畴包罗从数据收罗（此中写周期数目黑白常紧张的）到苛刻的产业操纵（此中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失）。

作为硬件替换时，FM25V02A为串行EEPROM或闪存的用户提供大量方便。FM25V02A利用高速的SPI总线，从而可以加强FRAM技能的高速写入本领。该设置装备摆设包罗一个只读的设置装备摆设ID，通过该ID，主机可以确定制造商、产物容量和产物版本。在–40℃到+85℃的产业级温度范畴内，该设置装备摆设范例得到包管。

特性
■256Kbit铁电性随机存储器（FRAM）被规律构造为32K×8
❐高历久性：100万亿（1014）次的读/写操纵
❐151年的数据保存时间
❐NoDelay™写操纵
❐高级高可靠性的铁电工艺
■非常快的串行外设接口（SPI）
❐频率高达40MHz
❐串行闪存和EEPROM的硬件直接替换
❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
■周密的写入爱护方案
❐利用写爱护（WP）引脚提供硬件爱护
❐利用写禁用指令提供软件爱护
❐可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块爱护
■设置装备摆设ID
❐制造商ID和产物ID
■低功耗
❐频率为40MHz时，有用电流为2.5mA
❐待机电流为150mA
❐就寝模式电流为8mA
■事情电压较低：VDD=2.0V到3.6V
■产业温度范畴：–40℃~+85℃
■封装
❐8引脚小外型集成电路（SOIC）封装
❐8引脚扁平无引脚（DFN）封装
■切合有害物质限定（RoHS）

封装引脚

FM25V02A是一种采纳先辈铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM黑白易失性的，实行雷同于ram的读取和写入操纵。它提供了151年的可靠数据保存，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的庞大性、开销和体系级可靠性题目。