射频晶体管范例、半导体和设置装备摆设综述

射频、微波和毫米波应用数目的不停增进导致了当今利用的射频晶体管范例、半导体和设置装备摆设数目的增进。随着无线通讯、卫星通讯、雷达、传感、测试和丈量以及其他应用范畴的竞争日益猛烈，这些技能的将来进展也在连续。随着越来越多的设置装备摆设利用射频/无线技能举行通讯和感到，射频晶体管技能将会越发多样化。一些射频晶体管范例、设置装备摆设和半导体已经利用了几十年，而且通常仍旧用于某些特别应用，而射频晶体管技能的其他渺小差异近来已经进入市场，而且正在实现新的应用。

素质上，射频半导体技能有三类：小信号、开关和功率晶体管。某些射频晶体管范例和半导体设置装备摆设最得当某些应用，这便是设置装备摆设云云多样化的缘故原由。小信号技能通常用于低噪声信号处置惩罚和放大，此中功率晶体管用于高增益和高功率应用。开关晶体管用于快速设置导通/关断状态，瞬态性能降级因子微小。因为大多数射频晶体管用于制造放大器，是以放大器重要分为三类：低噪声放大器、增益模块放大器和高功率放大器。

射频晶体管范例

·双极结型晶体管（BJT）

·异质结双极晶体管（HBT）

·绝缘栅双极晶体管（IGBT）

·高电子迁徙率晶体管（HEMT）

·伪形态高电子迁徙率晶体管（pHEMT）

·加强模式伪形态高电子迁徙率晶体管（E-pHEMT）

·场效应晶体管（FET）

·结栅场效应晶体管（JFET）

·金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

·金属半导体场效应晶体管（MESFET）

·线性扩散场效应晶体管（LDMOS）

·垂直双扩散场效应晶体管（VDMOS）

·硅双极互补金属氧化物半导体（Si BiCMOS）

射频晶体管半导体

·硅（Si）

·绝缘体上硅（SoI）

·碳化硅（SiC）

·磷化铟（InP）、砷化铟铝（InAlAs）或砷化铟镓（InGaAs）

·砷化镓（GaAs）或铝砷化镓（AlGaAs）

·氮化镓（GaN）或铝氮化镓（AlGaN）

·硅锗（SiGe）