GaN技能的底子常识

GaN,又称为氮化镓，为最新一代的半导体质料，进展和应用的潜力庞大。氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高10倍，饱和电子迁徙速率大3倍，热导率高2倍。这些性能提拔带来的一些上风便是氮化镓比硅更得当做大功率高频的功率器件，同时体积还更小，功率密度还更大。一个越发直观的例子是，倘使全部电器都换成氮化镓材质，团体用电量将会淘汰20%。

半导体质料进展史

1.第一代半导体质料

Si、Ge为主的元素半导体，中小功率微电子器件

2.第二代半导体质料

GaAs、InP等化合物半导体，LED、LD等光电子器件

3.第三代半导体质料

GaN、SiC等宽带半导体，大功率微电子、光电子及微波器件

GaN的特点

• 有很高的禁带宽度，可以笼罩红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范畴
• 高频特性，可以到达300GHz(硅为10G，砷化镓为80G)
• 高温特性，在300℃正常事情（非常实用于航天、军事和其他高温情况）
• 电子漂移饱和速率高、介电常数小、导热性能好
• 耐酸、耐碱、耐腐化（可用于恶劣情况）
• 高压特性（耐打击，可靠性高）
• 大功率（大功率器件）

GaN应用

• 射频元器件
• GaN HEMT Chip, HEMT MMIC
• 有源相控雷达
• 宽带通讯
• 微波功率器件